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Advanced Technical Information
I D25
HiPerFET TM Power MOSFETs IXFR 70N15
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Backside)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
V DSS = 150 V
= 67 A
R DS(on) = 28 m W
t rr ￡ 250ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
150
150
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I D(RMS)
I DM
I AR
T C = 25 ° C (MOSFET chip capability)
External lead (current limit)
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
67
280
70
70
A
A
A
A
G = Gate
Isolated backside*
D = Drain S = Source
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
30
1.0
5
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
* Patent pending
Features
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
? Low drain to tab capacitance(<30pF)
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
? Fast intrinsic Rectifier
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
Applications
? DC-DC converters
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
150
2.0
V
4.0 V
± 100 nA
25 m A
750 mA
28 m W
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? AC motor control
Advantages
? Easy assembly
? Space savings
Notes 2, 3
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
? High power density
98714 (03/27/00)
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